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| 参数 | 参数值 |
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包装
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管件
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系列
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HEXFET®
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零件状态
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Digi-Key 停产
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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40V
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电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
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195A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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10V
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不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）
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1.2 毫欧 @ 100A，10V
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不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
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3.9V @ 250µA
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不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）
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450nC @ 10V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
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14240pF @ 25V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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375W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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D2PAK
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封装/外壳
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TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
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| 图片 | 型号 | 制造商 | 分类 | 描述 | 参考价格 | 库存数量 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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晶体管
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暂无价格
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参考库存:暂无
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晶体管
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暂无价格
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参考库存:暂无
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晶体管
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MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP
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暂无价格
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参考库存:44449
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晶体管
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MOSFET N-CH 55V 49A D2PAK
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暂无价格
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参考库存:44465
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晶体管
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MOSFET N-CH 650V TO-220-3
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暂无价格
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参考库存:44489
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